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电容的应用与选型
器件选型,其实就是从器件的规格书上提取相关的信息,判断是否满足产品的设计和应用的要求。
3.1 概述
电容作为一个储能元件,可以储存能量。外部电源断开后,电容也可能带电。因此,安全提示十分必要。有些电子设备内部会贴个高压危险,小时候拆过家里的黑白电视机,拆开后看到显像管上贴了个高压危险,那时就有个疑问,没插电源也会有高压吗?工作后,拆过几个电源适配器,被电的回味无穷……
关于电容,这篇说得太详细了
回归正题,电容储能可以做如下应用: 储存能量就可以当电源,例如**级电容;
存储数据,应用非常广。动态易失性存储器(DRAM)就是利用集成的电容阵列存储数据,电容充满电就是1,放完电就是0。各种手机、电脑、服务器中内存的使用量非常大,因此,内存行业都可以作为信息产业的*了。
此外,电容还可以用作:
定时:电容充放电需要时间,可以用做定时器;还可以做延时电路,较常见的就是上电延时复位;一些定时芯片如NE556,可以产生三角波。
谐振源:与电感一起组成LC谐振电路,产生固定频率的信号。
利用电容通高频、阻低频、隔直流的特性,电容还可以用作:
电源去耦
电源去耦应该是电容较广泛的应用,各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容,目的就是保持供电电压的稳定。
首先,在DCDC电路中,需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。
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此外,像IC工作时,不同时刻需要的工作电流是不一样的,因此,也需要大量的去耦电容,来保证工作电压得稳定。
耦合隔直
设计电路时,有些情况下,只希望传递交流信号,不希望传递直流信号,这时候可以使用串联电容来耦合信号。
例如多级放大器,为了防止直流偏置相互影响,静态工作点计算复杂,通常级间使用电容耦合,这样每一级静态工作点可以独立分析。
例如PCIE、SATA这样的高速串行信号,通常也使用电容进行交流耦合。
旁路滤波
旁路,顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中,各种滤波器的设计都需要使用电容。此外,像EMC设计,对于接口处的LED灯,都会在信号线上加一颗滤波电容,这样可以提高ESD测试时的可靠性。
3.2 铝电解电容
3.2.1 铝电解电容(湿式)
铝电解电容(湿式)无论是插件还是贴片封装,高度都比较高,而且ESR都较高,不适合于放置于IC附近做电源去耦,通常都是用于电源电路的输入和输出电容。
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原图来自KEMET规格书
容值
从规格书中获取电容值容差,通常铝电解电容的容差都是±20%。计算较大容值和较小容值时,各项参数要满足设计要求。
额定电压
铝电解电容通常只适用于直流场合,设计工作电压至少要低于额定电压的80%。对于有浪涌防护的电路,其额定浪涌电压要**防护器件(通常是TVS)的残压。
例如,对于一些POE供电的设备,根据802.3at标准,工作电压较高可达57V,那么选择的TVS钳位电压有90多V,那么至少选择额定电压100V的铝电解电容。此时,也只有铝电解电容能同时满足大容量的要求。
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原图来自Littelfuse的TVS规格书
耗散因数
设计DCDC电路时,输出电容的ESR影响输出电压纹波,因此需要知道铝电解电容的ESR,但大多数铝电解电容的规格书只给出了耗散因数tanδ。可以根据以下公式来计算ESR:
ESR = tanδ/(2πfC)
例如,120Hz时,tanδ为16%,而C为220uF,则ESR约为965mΩ。可见铝电解电容的ESR非常大,这会导致输出电压纹波很大。因此,使用铝电解电容时,需要配合使用片状陶瓷电容,靠近DCDC芯片放置。
随着开关频率和温度的升高,ESR会下降。
额定纹波电流
电容的纹波电流,要满足DCDC设计的输入和输出电容的RMS电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。
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寿命
铝电解电容的寿命比较短,选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的,规格书通常给出产品较高温度时的寿命,例如105℃时,寿命为2000小时。
根据经验规律,工作温度每下降10℃,寿命乘以2。如果产品的设计使用寿命为3年,也就是26280小时。则10*log2(26280/2000)=37.3℃,那么设计工作温度不能**过65℃。
3.2.2 聚合物铝电解电容
像Intel的CPU这样的大功耗器件,一颗芯片80多瓦的功耗,核电流几十到上百安,同时主频很高,高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高:
· 电容值要大,满足大电流要求;
· 额定RMS电流要大,满足大电流要求;
· ESR要小,满足高频去耦要求;
· 容值稳定性要好;
· 表面帖装,高度不能太高,因为通常放置在CPU背面的BOTTOM层,以达到较好的去耦效果。
这时,选择聚合物铝电解电容较为合适。
此外,对于音频电路,通常需要用到耦合、去耦电容,由于音频的频率很低,所以需要用大电容,此时聚合物铝电解电容也很合适。
3.3 钽电容
根据前文相关资料的来源,可以发现,钽电容的主要厂商就是Kemet、AVX、Vishay。
钽属于比较稀有的金属,因此,钽电容会比其他类型的电容要贵一点。但是性能要比铝电解电容要好,ESR更小,损耗更小,去耦效果更好,漏电流小。下图是Kemet一款固态钽电容的参数表:
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截图自Kemet规格书
额定电压固态钽电容的工作电压需要降额设计。正常情况工作电压要低于额定电压的50%;高温环境或负载阻抗较低时,工作电压要低于额定电压的30%。具体降额要求应严格按照规格书要求。
此外,还需要注意钽电容的承受反向电压的情况,交流成分过大,可能会导致钽电容承受反向电压,导致钽电容失效。
固态钽电容的主要失效模式是短路失效,会直接导致电路无法工作,甚至起火等风险。因此,需要额外注意可靠性设计,降低失效率。
对于一旦失效,就会造成重大事故的产品,建议不要使用固态钽电容。
额定纹波电流纹波电流流过钽电容,由于ESR存在会导致钽电容温升,加上环境温度,不要**过钽电容的额定温度以及相关降额设计。
3.4 片状多层陶瓷电容片状多层陶瓷电容应该是出货量较大的电容,制造商也比较多,像三大日系TDK、muRata、Taiyo Yuden,美系像KEMET、AVX(已经被日本京瓷收购了)。
三大日系做的比较好的就是有相应的选型软件,有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线,非常全,不得不再次推荐一下:
· SEAT 2013 - TDK
· Simsurfing - Murata
· Taiyo Yuden Components Selection Guide & Data Library
3.4.1 Class I电容
Class I电容应用较多的是C0G电容,性能稳定,适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。
C0G电容的容值十分稳定,基本不随外界条件(频率除外)变化,下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。
关于电容,这篇说得太详细了
图片来自GRM1555C1H102JA01 - Murata
因此,通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。
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图片来自SimSurfing - Web - Murata
其中GRM是普通系列,GJM是高Q值系列、GQM是高频系列,可见GQM系列高频性能更好,自谐振频率和Q值更高,一些高频性能要求很高的场合,可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜,更加通用,例如EMC滤波。
3.4.2 Class II和Class III电容
Class II和Class III电容都是高介电常数介质,性能不稳定,容值变化范围大,通常用作电源去耦或者信号旁路。
以Murata一款22uF、6.3V、X5R电容为例,相关特性曲线:
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图片来自GRM188R60J226MEA0 - Murata
容值
Class II和Class III电容,容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时,电容都有一定的直流偏置,电容量比标称值小很多,所以要注意实际容值是否满足设计要求。
纹波电流
作为DCDC的输入和输出电容,都会有一定的纹波电流,由于ESR的存在会导致一定的温升。加上环境温度,不能**过电容的额定温度,例如X5R电容较高额度温度是85℃。
通常由于多层陶瓷电容ESR较小,能承受的纹波电流较大。
自谐振频率
电容由于ESL的存在,都有一个自谐振频率。大容量的电容,自谐振频率较低,只有1-2MHz。所以,为了提高电源的高频效应,大量小容值的去耦电容是必须的。此外,对于开关频率很高的DCDC芯片,要注意输入输出电容的自谐振频率。
ESR
设计DCDC电路,需要知道输出电容的ESR,来计算输出电压纹波。多层陶瓷电容的ESR通常较低,大约几到几十毫欧。
3.5 安规电容
对于我们家用的电子设备,较终都是220V交流市电供电。电源适配器为了减少对电网的干扰,通过相关EMC测试,都会加各种滤波电容。下图为一个简易的电路示意图: