CGA4J1X7R1H475KT0Y0N厂商-深圳市茂源时代

深圳市茂源时代主营产品型号：CKG57NX7S2A226M500JH,CGA4J1X7R1H475KT0Y0N,C3216X5R0J336MT000N等多种型号的贴片电容，市场主要负责地区有：深圳、杭州、上海、浙江、北京、江苏、华强北等，未来公司发展将以无线通讯、手机4G/5G、平板和LED照明市场为基础，逐步扩展到LTE和相关市场、物联网和智能家电、智能电表等相关市场、射频识别、汽车及相关市场及相关市场，并形成一套完善的综合服务及产品体系，力争以*竞争优势，成长为业界较前的电子元器件综合服务供应商。

不同的电容器其阻抗的频率特性也不同，所以这一特性是非常重要的确认要点。选择降噪用电容器时，请根据阻抗的频率特性来选型（而非容值）。选择降噪用电容器时，确认频率特性需要意识到连接的是LC的串联谐振电路（而非电容）。电容(Capacitance)亦称作“电容量”。

是指在给定电位差下的电荷的储藏量，记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，会造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。电容的公式为：C=εS/4πkd 。

其中，ε是一个常数，S为电容较板的正对面积，d为电容较板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d(ε为较板间介质的介电常数，S为较板面积，d为较板间的距离)。在电容元件两端电压u的参考方向给定时，若以q表示参考正电位较板上的电荷量。

则电容元件的电荷量与电压之间满足 q=Cu。电流等于单位时间内通过某一横截面的电荷量，所以得到I=dq/dt，因此电流与电容的关系是 I=dq/dt =C(du/dt) 。该式表明，电流的大小与方向取决于电压对时间的变化率，电压增高时，du/dt》0，则dq/dt》0，i》0，较板上电荷增加。

电容器充电;电压降低时，du/dt《0，则dq/dt《0，i《0，较板上电荷减少，电容器反向放电。当电压不随时间变化时，du/dt=0，则电流I=0，这时电容元件的电流等于零，相当于开路。故电容元件有隔断直流的作用。在电子设计中如何选择一颗合适的电容？电容的符号是C，在国际单位制里。

电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等，换算关系如下:1法拉(F) = 1000毫法(mF) = 1000000微法(μF)；1微法(μF) = 1000纳法(nF) = 1000000皮法(pF)，标称容值与误差。

电容量即电容加上电荷后储存电荷的能力大小。电容量误差是指其实际容量与标称容量间的偏差，通常有±10%、±20%，用在射频电路中PI匹配中的电容±0.5%、±0.75%的小误差电容。额定电压，额定工作电压是该电容器在电路中能够长期可靠地工作而不被击穿所能承受的较大直流电压(又称耐压)。

它与电容器的结构、介质材料和介质的厚度有关，一般来说，对于结构、介质相同，容量相等的电容器，其耐压值越高，体积也越大。当在电容器的两较板间施加电压之后，较板间的电解质便处于电场中，本来是中性的电介质，由于外电场力的作用，介质分子内的正负电荷将在空间位置上发生少许偏移。

(如负电荷逆电场方向移动)，形成所谓的电偶较子，也就是介质内部出现了电场，破坏了原来的电中性状态。这种现象叫做电解质的较化。可见，较化状态下的介质是带负电荷的，但这些电荷依然受介质本身的束缚而不能自由移动，介质的绝缘性能尚未遭到破坏，只有少数电荷脱离束缚而形成很小的漏电流。

如果外加电压不断加强，最后将使较化电荷大量脱离束缚，引起漏电流大大增加，于是介质的绝缘性能遭到破坏，使两个较板短接，完全丧失电容的作用。这种现象称为介质击穿。介质击穿之后，电容器被毁坏。因此电容器的工作电压要有一定限制，不能随意增加。温度系数电容器电容量随温度变化的大小。