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深圳市茂源时代主营产品型号:C1608X7R1H334KT000E,C3216X7R2A334K130AA等多种型号的贴片电容,市场主要负..茂源时代科技主营产品型号:C2012X7R1V475M125AC,CGA4J3X7R1C475KT0Y0N,C1608X7R1H224KT000N等多种型号的贴片电容,市场主要负责地区有:深圳、杭州、上海、浙江、北京、江苏、华强北等,茂源时代科技作为业内**的贴片电子元器件代理商,凭借良好的企业发展理念和专门的技术水平,在贴片电容,贴片电阻,贴片电感磁珠等产品领域迅速崛起。为扩大产品市场及方便客户集中采购,现与村田(Murata)、三星(SAMSUNG)、国巨(YAGEO)、华新(Walsin)、太阳诱电(TAIYO)、风华(FH)、宇阳(EYANG)、潮州三环(CCTC)等*电子元器件厂商签订了正式授权代理资格。
电容在使用中的注意事项,电解电容爆浆的原因:电容爆浆的原因有很多,比如电流大于允许的稳波电流、使用电压**出工作电压、逆向电压、频繁的充放电等。但是较直接的原因就是高温。我们知道电容有一个重要的参数就是耐温值,指的就是电容内部电解液的沸点。当电容的内部温度达到电解液的沸点时。
电解液开始沸腾,电容内部的压力升高,当压力**过泄爆口的承受极限就发生了爆浆。所以说温度是导致电容爆浆的直接原因。电容设计使用寿命大约为2万小时,受环境温度的影响也很大。电容的使用寿命随温度的增加而减小,实验证明环境温度每升高10℃,电容的寿命就会减半。
主要原因就是温度加速化学反应而使介质随时间退化失效,这样电容寿命终结。为了保证电容的稳定性,电容在插板前要经过长时间的高温环境的测试。即使是在100℃,高品质的电容也可以工作几千个小时。同时,我们提到的电容的寿命是指电容在使用过程中,电容容量不会**过标准范围变化的10%。
电容寿命指的是电容容量的问题,而不是设计寿命到达之后就发生爆浆。只是无法保证电容的设计的容量标准。所以,短时期内,正常使用的板卡电容就发生爆浆的情况,这就是电容品质问题。另外,不正常的使用情况也有可能发生电容爆浆的情况。比如热插拔电脑配件也会导致板卡局部电路电流、电压的剧烈变化。
从而引发电容使用故障。在确认使用及安装环境时,作为按产品样本设计说明书所规定的额定性能范围内使用的电容器,应当避免在下述情况下使用:电容的选用注意事项:高温(温度**过较高使用温度);过流(电流**过额定纹波电流),施加纹波电流**过额定值后,会导致电容器体过热,容量下降,寿命缩短。
过压(电压**过额定电压),当电容器上所施加电压**额定工作电压时,电容器的漏电流将上升,其电氧物性将在短期内劣化直至损坏;施加反向电压或交流电压,当直流铝电解电容器按反极性接入电路时,电容器会导致电子线路短路,由此产生的电流会引致电容器损坏。若电路中有可能在负引线施加正极电压。
选用无极性电容器;使用于反复多次急剧充放电的电路中,如快速充电用途,其使用寿命可能会因为容量下降,温度急剧上升等而缩减;在直接与水、盐水、油类相接触或结露的环境、充满有害气体的环境(硫化物、氨水等)、直接日光照射、臭氧、紫外线及有放射性物质的环境。
振动及冲击条件**过了样本及说明书规定范围的恶劣环境下,禁止使用电容器;电容的选用注意事项,电容器安装时,电容器防爆阀上方留有空间、爆阀上方避免配线及安装其他元件、电容器四周及电路板避免安装发热元件。作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种。
应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之:旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。 就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。 为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。去藕,又称解藕。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大, 驱动电路要把电容充电、放电, 才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候, 电流比较大。
这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1µF、0.01µF 等,而去耦合电容的容量一般较大,可能是10µF 或者更大。
依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。
但实际上**过1µF 的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。电容越大低频越容易通过,电容越大高频越容易通过。
具体用在滤波中,大电容(1000µF)滤低频,小电容(20pF )滤高频。曾有人形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象的说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化。
频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电,放电的过程。储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40~450VDC 、电容值在220~150 000µF 之间的铝电解电容器(如EPCOS 公司的 B43504 或B43505)是较为常用的。
根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式, 对于功率级**过10KW 的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。应用于信号电路,主要完成耦合、振荡/ 同步及时间常数的作用:举个例子来讲,晶体管放大器发射较有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合。